• XIAN XIWUER ELECTRONIC AND INFO. CO., LTD
    Richard
    “XIWUER rất sáng tạo. Họ đã cung cấp dịch vụ tuyệt vời, trực quan, nhìn về tương lai những gì chúng tôi có thể cần. ”
  • XIAN XIWUER ELECTRONIC AND INFO. CO., LTD
    Mike
    "Sự cống hiến của XIWUER trong việc thiết kế các thông số kỹ thuật khác nhau để đáp ứng các yêu cầu xử lý nghiêm ngặt của chúng tôi là minh chứng cho nhiều năm nghiên cứu và phát triển của chúng tôi."
  • XIAN XIWUER ELECTRONIC AND INFO. CO., LTD
    Kết hôn
    "XIWUER có khả năng nghiên cứu ấn tượng và thể hiện khả năng tạo mẫu tốt và chất lượng sản phẩm cao."
Người liên hệ : Wang Hong

How a new generation of high-voltage doorknob capacitors is pushing the boundaries of NMR technology

Nguồn gốc Tây An, TRUNG QUỐC
Hàng hiệu XIWUER
Chứng nhận ISO9001,ISO14001,ISO45001
Tài liệu High Voltage Ceramic Capaci...25.pdf
Số lượng đặt hàng tối thiểu 1pcs
Giá bán có thể đàm phán
chi tiết đóng gói Thùng carton
Thời gian giao hàng 5-7 ngày
Điều khoản thanh toán L/C, T/T.
Khả năng cung cấp 4.000.000 chiếc một năm

Liên hệ với tôi để có mẫu và phiếu giảm giá miễn phí.

Whatsapp:0086 18588475571

Wechat: 0086 18588475571

Ứng dụng trò chuyện: sales10@aixton.com

Nếu bạn có bất kỳ mối quan tâm nào, chúng tôi cung cấp trợ giúp trực tuyến 24 giờ.

x
Thông tin chi tiết sản phẩm
tiêu tan ≦0,0040 chịu được điện áp 1.5ur ● 1 phút
Điện trở cách nhiệt 1.0 × 105mΩ
Làm nổi bật

high voltage doorknob capacitors NMR

,

doorknob capacitors high voltage technology

,

NMR high voltage capacitors

Bạn có thể đánh dấu vào các sản phẩm bạn cần và liên lạc với chúng tôi trong bảng tin.
Để lại lời nhắn
Mô tả sản phẩm

A Revolution in Dielectric Materials: From Stability to Functionality

Traditional capacitor dielectric materials often struggle to balance temperature stability and voltage coefficient. Our specialized barium strontium titanate-based composite ceramic dielectrics, developed through precise rare earth element doping and microstructural manipulation, achieve three breakthrough properties:

Near-zero voltage coefficient: Within the rated operating voltage range, the capacitance variation is controlled to within ±0.1%, ensuring accurate RF pulses at various power levels.

Wide Temperature Stability: Capacitance drift is less than ±0.5% from -55°C to +125°C, meeting the requirements of a full range of probe applications, from ambient to cryogenic temperatures.

Adaptive Dielectric Properties: In strong external magnetic fields, the dielectric material's magnetic susceptibility remains below 10⁻⁸, completely eliminating interference with the main magnetic field uniformity.

Drawing:
How a new generation of high-voltage doorknob capacitors is pushing the boundaries of NMR technology 0

Parameters:

No. Specification Dissipation Withstanding voltage Insulation resistance Dimension(mm)
1 20kV-2000pF








≦0.0040








1.5Ur 1min








≧1.0×105MΩ

D H L D M
2 20kV-10000pF 45 19 23 12 5
3 20kV-18000pF 65 15 19 12 5
4 30kV-1000pF 80 17 25 12 5
5 30kV-2700pF 45 24 32 12 4
6 30kV-12000pF 60 20 28 12 4
7 40kV-150pF 20 33 41 8 4
8 40kV-500pF 28 33 41 8 4
9 40kV-7500pF 80 24 29 12 6
10 40kV-10000pF 80 22 26 16 5
11 50kV-1000pF 50 30 34 12 4
12 50kV-1000pF 32 27 31 16 5
13 50kV-5600pF 80 31 35 16 5
14 60kV-1500pF 50 31 34 12 5
15 60kV-3000pF 65 32 35 16 5
16 100kV-500pF 50 54 58 12 5
17 100kV-2000pF 51 32 35 16 5
18 Insulator type 100kV-1500pF 68 36 40 16 5
19 150kV-820pF 65 95 100 12 5
20 200kV-600pF 50 90 94 16 5


A Revolution in Dielectric Materials: From Stability to Functionality

Traditional capacitor dielectric materials often struggle to balance temperature stability and voltage coefficient. Our specialized barium strontium titanate-based composite ceramic dielectrics, developed through precise rare earth element doping and microstructural manipulation, achieve three breakthrough properties:

Near-zero voltage coefficient: Within the rated operating voltage range, the capacitance variation is controlled to within ±0.1%, ensuring accurate RF pulses at various power levels.

Wide Temperature Stability: Capacitance drift is less than ±0.5% from -55°C to +125°C, meeting the requirements of a full range of probe applications, from ambient to cryogenic temperatures.

Adaptive Dielectric Properties: In strong external magnetic fields, the dielectric material's magnetic susceptibility remains below 10⁻⁸, completely eliminating interference with the main magnetic field uniformity.

The Engineering Value of Structural Innovation

The extremely compact interior of an MRI scanner poses significant challenges to component layout. Our 3D stacked doorknob capacitor addresses several pain points in traditional designs through its innovative internal connection architecture:

40% improvement in space utilization: Optimized electric field distribution enables higher energy density within the same volume.

Integrated thermal management: Direct thermal connection between the built-in micro heat pipe and the housing reduces thermal resistance by 30%, ensuring temperature stability under sustained high-power pulses.

Modular interconnect design: The patented snap-on connection system enables rapid assembly and maintenance, significantly reducing system integration complexity.